iPhone 16 或将改用密度更高、速度更慢的QLC闪存

苹果和其他智能手机生产商已经逐步增加了产品的存储容量，但这样做会增加硬件成本。现在，苹果似乎正在考虑使用一种更便宜的存储器。据报道，苹果公司可能会改变其高容量 iPhone 16 机型所使用的闪存类型，考虑使用密度更高、但速度可能更慢的四层单元 NAND。

据 DigiTimes 的业内人士透露，苹果可能会改变存储容量，不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过 1TB 的机型上使用四层单元（QLC）NAND 闪存。

与 TLC 相比，QLC 的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，而不是三位。这使得 QLC NAND 闪存在使用相同数量的单元时比 TLC 储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据。理论上，这可以降低生产成本。

然而，QLC 在做到这一点的同时也做出了一些牺牲。QLC NAND 闪存被认为不如 TLC 闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。

QLC NAND 闪存可以存储 16 种不同的电荷电平，而 TLC 仅能存储 8 种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。

如果苹果公司继续执行这一计划，最终将意味着拥有 1TB 存储容量的 iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。这反过来又会降低对性能有较高要求的用户的某些性能。

性能上的差异可能还不足以成为问题。例如，市售的固态硬盘在高速缓存已满的情况下，TLC 闪存的写入速度可达 550MB/s，而同类 TLC 版本的写入速度可能只有 450MB/s 或 500MB/s。

这对于工作站计算机而非移动设备来说更为重要。移动设备的闪存写入往往是突发的，而不像工作站那样是持续的。

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